韩国三星公司刚刚宣布将更多内存封装到小尺寸空间的新技术。这种技术称之为三维空间芯片封装，它通过在内存模块上加入“通过矽”的连接，然后通过这种连接，将多个内存模块菊花型连接起来。韩国三星公司将这种新技术命名为“晶圆级的堆叠工艺”，简称WSP 。
现有的半导体封装依赖于对印刷电路板的有线连接，这种有线连接需要互连之间存在空间，以消除干扰，但是在制造高密度内存之时，这种空间会成为制约因素。三星电子今天宣布的“通过矽”的互相连接技术，本质上是激光在内存芯片之间打孔，然后以导体材料填充这些孔，以产生垂直互连效果。
韩国三星公司研究员设法在一个封包当中堆积了8个2Gb NAND芯片。这种容量16Gb的NAND芯片高度只有半个毫米。这种技术将在年内用在DRAM和多媒体控制器的生产上。手机、PDA和高密度服务器组件都将因此受益。如果这种WSP技术允许1个封装当中堆积256的模块，那么三星公司不久前发布的最新NAND硬盘厚度将只有8个毫米。
然而3D封装对芯片装配来说，并非最好办法。在相对慢的NAND模块上，发热量对3D封装来说不是大问题，但是工作温度更高的高速DRAM来说，近期不大可能采用三星公司的这种WSP或者其它3D封装技术。
（第三媒体 2006－04－15）
