八款新沟道MOSFET采用薄型、微小1.6mm×1.6mm封装，
RDS(on)比其它同类封装的解决方案降低60%
2005年2月2日——安森美半导体（ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出八款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻（RDS(on)），整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30%。
新器件为小信号、20伏（V）MOSFET，特别适用于-430毫安（mA）至-950 mA的应用，如功率负载开关、电源转换器电路以及手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器和便携式GPS系统中的电池管理等。这些新型的低压MOSFET采用安森美半导体的沟道技术，增大了沟道长度和等效沟道密度。RDS(on)比目前同类封装的MOSFET降低60％，可导通更大电流。
RDS（on）范围比较
－安森美半导体沟道MOSFET: 150－900 mOhms
－其它同类MOSFET器件: 850－1600 mOhms
安森美半导体的沟道MOSFET有三种微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封装选择，节约了宝贵的板空间。因MOSFET极易受到静电放电（ESD）的损害，且封装越小，受ESD损害的可能性越大，安森美半导体所以将齐纳二极管集成至沟道MOSFET门，提供优异的ESD保护。总之，这些封装、性能和集成度的改进进一步简化整体板设计并腾出额外的板空间。
安森美半导体功率FET产品总经理David Garafano说:“安森美半导体沟道技术实现了业内最高的沟道密度并在既定的封装面积下提供同等级最佳的通导电阻（RDS(on)）性能。把此沟道技术和我们公司的超小封装技术结合，安森美半导体已经开发出一系列低压MOSFET，能够提供优异的RDS（on），降低功耗并提高电流导通。所以这些器件将整体电源电路效率提高30％，大大地帮助了我们的客户改进其便携式产品中的电池效率。”
器件
- NTA4151PT1，NTE4151PT1，NTZS3151PT1和NTZD3152PT1：用于达850 mA高端负载开关的P沟道MOSFET。提供单模式和双模式。
- NTA4153NT1，NTE4153NT1 和NTZD3154NT1：用于高达915 mA低端负载开关的N沟道MOSFET。提供单模式和双模式。
- NTZD3155CT1：互补N沟道和P沟道的组合，用于集成负载开关或小电流直流至直流转换。
封装和价格
每个器件有三种薄型的1.6mm×1.6mm封装。六引脚高度0.6mm的SOT-563和三引脚高度0.8mm的 SC-89为扁平引脚封装。三引脚高度1.0mm的SC-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能，并使高度得到改进。
新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间。（新闻稿 博达公关提供 2005-02-02）
